pierwszy tranzystor 01.jpg
pierwszy tranzystor 01.jpg
 | pierwszy tranzystor 01.jpg Rozmiar 1,8 MB |
W 1949 dwaj niemieccy fizycy (zaangażowani poprzednio w program radarowy) Herbert Mataré i Heinrich Welker pracując w paryskim oddziale firmy Westinghouse niezależnie zbudowali tranzystor (który nazwali transistronem).
W 1957 William Bradford Shockley pracując w Shockley Semiconductor Laboratory zbudował złączowy tranzystor polowy JFET.
W 1959 John Atalla i Davon Kahng, również z Bell Labs, zbudowali pierwszy tranzystor MOSFET, wykorzystując przy tym opracowany w tym samym laboratorium proces utleniania powierzchni kryształu krzemu.
Innym możliwym podziałem tranzystorów jest podział ze względu na materiał półprzewodnikowy z jakiego są wykonywane:
* German - materiał historyczny, obecnie najczęściej stosowany w technice wysokich częstotliwości w połączeniu z krzemem (heterostruktury),
* Krzem - obecnie podstawowy materiał półprzewodnikowy, bardzo szeroko stosowany,
* Arsenek galu - stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
* Azotek galu - stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości,
* Węglik krzemu - (rzadko) stosowany w technice bardzo wysokich częstotliwości, dużych mocy i w wysokich temperaturach.
Ze względu na parametry tranzystory dzieli się na:
* Małej mocy, małej częstotliwości
* Dużej mocy, małej częstotliwości
* Małej mocy, wielkiej częstotliwości
* Dużej mocy, wielkiej częstotliwości
* Tranzystory przełączające (impulsowe)